偵測不到亮點之情況不會出現亮點之故障：1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯短路；4.表面反型層；5.硅導電通路等。

亮點被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發光，且需要減薄及拋光處理。

測試范圍：故障點定位、尋找近紅外波段發光點測試內容：1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰2.飽和區晶體管的熱電子3.氧化層漏電流產生的光子激發4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等問題 使用微光顯微鏡，可大幅提升故障點確定精度。制冷微光顯微鏡成像

致晟光電的EMMI微光顯微鏡已廣泛應用于集成電路制造、封測、芯片設計驗證等環節。在失效分析中，它可以快速鎖定ESD損傷點、漏電通道、局部短路以及工藝缺陷，從而幫助客戶在短時間內完成問題定位并制定改進方案。在先進封裝領域，如3D-IC、Fan-out封裝，EMMI的非破壞檢測能力尤為重要，可在不影響器件結構的情況下進行檢測。致晟光電憑借靈活的系統定制能力，可根據不同企業需求調整探測波段、成像速度與臺面尺寸，為國內外客戶提供定制化解決方案，助力提高產品可靠性與市場競爭力。科研用微光顯微鏡24小時服務光子信號揭示電路潛在問題。

微光顯微鏡下可以產生亮點的缺陷，如：1.漏電結(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(Hotelectrons);4.閂鎖效應(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理損傷(Mechanicaldamage)等。當然，部分情況下也會出現樣品本身的亮點，如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；4.biaseddiodes(breakdown)等出現亮點時應注意區分是否為這些情況下產生的亮點另外也會出現偵測不到亮點的情況，如：1.歐姆接觸；2.金屬互聯短路；3.表面反型層；4.硅導電通路等。若一些亮點被遮蔽的情況，即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，這種情況可以嘗試采用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發光，且需要減薄及拋光處理。

在致晟光電EMMI微光顯微鏡的成像中，背景被完全壓暗，缺陷位置呈現高亮發光斑點，形成極高的視覺對比度。公司研發團隊在圖像采集算法中引入了多幀累積與動態背景抑制技術，使得信號在極低亮度下仍能清晰顯現。該設備能夠捕捉納秒至毫秒級的瞬態光信號，適用于分析ESD擊穿、閂鎖效應、擊穿電流路徑等問題。與傳統顯微技術相比，致晟光電的系統不僅分辨率更高，還能結合鎖相模式進行時間相關分析，為失效機理判斷提供更多維度數據。這種成像優勢，使EMMI成為公司在半導體失效分析業務中相當有代表性的**產品之一。相較動輒上千萬的進口設備，我們方案更親民。

短路是芯片失效中常見且重要的誘發因素。當芯片內部電路發生短路時，受影響區域會形成異常電流通路，導致局部溫度迅速升高，并伴隨特定波長的光發射現象。

致晟光電微光顯微鏡（EMMI）憑借其高靈敏度，能夠捕捉到這些由短路引發的微弱光信號，并通過對光強分布、空間位置等特征進行綜合分析，實現對短路故障點的精確定位。以一款高性能微處理器芯片為例，其在測試過程中出現不明原因的功耗異常增加，工程師初步懷疑芯片內部存在短路隱患。

光發射顯微的非破壞性特點，確保檢測過程不損傷器件，滿足研發與量產階段的質量管控需求。制冷微光顯微鏡成像

微光顯微鏡可結合紅外探測，實現跨波段復合檢測。制冷微光顯微鏡成像

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發的微弱光發射方面更具優勢，能夠實現更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長捕捉因功率耗散導致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對比中，EMMI 無需真空環境，且屬于非破壞性檢測，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實際失效分析中，這些技術往往互為補充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區域，再借助 SEM 或 FIB 對目標位置進行精細剖析與結構驗證，從而形成完整的分析鏈路。
制冷微光顯微鏡成像